基于磁性原理的敏感元件
霍尔元件：
原理：基于霍尔效应，当通电的导体或半导体在垂直于其平面的外磁场作用下时，载流子受到洛伦兹力的作用而偏向一边，形成电势差（霍尔电压）。
特点：对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长。
应用：常用于测量、自动化、计算机和信息技术等领域，如转速测量、流量测量、电流检测等。
磁阻元件：
AMR（各向异性磁阻）元件：
原理：利用各向异性磁阻效应，当外部磁场与磁体内建磁场方向成角度时，磁体内部磁化矢量偏移，导致薄膜电阻降低。
特点：灵敏度高，但线性范围窄，容易磁饱和，需要设置Set/Reset线圈进行预设/复位操作。
应用：常用于转速传感器、接近开关、隔离开关以及导航系统中的罗盘等。
GMR（巨磁电阻）元件：
原理：由中间带隔离层的两层铁磁体组成，其电阻率在有外磁场作用时比在无外磁场作用时存在巨大变化。
特点：相对于AMR有更好的灵敏度，且磁场工作范围更宽。
应用：可用于卫星探测地球表面物体和矿藏分布等。
TMR（隧道磁电阻）元件：
原理：利用磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比AMR和GMR元件具有更大的电阻变化率。
特点：具有更好的温度稳定性、更高的灵敏度、更低的功耗、更好的线性度，且不需要额外的聚磁环结构或set/reset线圈结构。
应用：可广泛应用于工业控制、金融器具、生物医疗、消费电子、汽车领域等方面。
磁敏二管/晶体管：
原理：基于磁敏效应，当外加磁场时，磁敏二管或晶体管的电导率发生变化，从而改变输出电流或电压。
特点：灵敏度高，但噪声较大，频率特性较差，且温度稳定性需要补偿。
应用：常用于磁场强度和方向的测量，特别是对弱磁场的测量。
基于非磁性原理的敏感元件（若磁吸式振动传感器采用非磁性设计）
压电元件：
原理：基于压电效应，当压电晶体或陶瓷受到机械应力时，表面会产生电荷，电荷量与应力成正比。
特点：灵敏度高，频率响应宽，但温度敏感性较大。
应用：常用于高频振动监测，如齿轮、叶片等设备的振动监测。
半空心轴编码器 EB50P8-L5PA-500
空心轴编码器 EC100P38-L5PR-1024
半空心轴编码器 EB50P8-L5PA-50
空心轴编码器 EC150P60-H4TR-600
防爆编码器 EXIST80A12K-IC4IPIR-600
实心轴编码器 ECD58C10-L5PR+L5PR-20
重载编码器 EI100P50-H6TR-1024
SE350BCRG 防粘附型阻旋料位开关
YNDL-2 经济型阻旋料位开关
RC-20 侧装型阻旋料位开关
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